1、靜電放電
靜電放電（ESD）是大家熟知的電磁兼容問題，它可引起電子設備失靈或使其損壞。當半導體器件單獨放置或裝入電路模塊時，即使沒有加電，也可能造成這些器件的永久性損壞。對靜電放電敏感的元件被稱為靜電放電敏感元件（ESDS）。
如果一個元件的兩個針腳或更多針腳之間的電壓超過元件介質(zhì)的擊穿強度，就會對元件造成損壞。這是MOS器件出現(xiàn)故障最主要的原因。氧化層越薄，則元件對靜電放電的敏感性也越大。故障通常表現(xiàn)為元件本身對電源有一定阻值的短路現(xiàn)象。對于雙極性元件，損壞一般發(fā)生在薄氧化層隔開的已進行金屬噴鍍的有源半導體區(qū)域，因此會產(chǎn)生泄漏嚴重的路徑。
另一種故障是由于節(jié)點的溫度超過半導體硅的熔點（1415度）時所引起的。靜電放電脈沖的能量可以產(chǎn)生局部地方發(fā)熱，因此出現(xiàn)這種機理的故障。即使電壓低于介質(zhì)的擊穿電壓，也會發(fā)生這種故障。一個典型的例子是：NPN型三極管發(fā)射極與基極間的擊穿會使電流增益急劇降低。
器件受到靜電放電的影響后，也可能不立即出現(xiàn)功能性的損壞。這些受到潛在損壞的元件通常被稱為“跛腳”，一旦加以使用，將會對以后發(fā)生的靜電放電或傳導性瞬態(tài)表現(xiàn)出更大的敏感性。要密切注意元件在不易察覺的放電電壓下發(fā)生的損壞，這一點非常重要。人體有感覺的靜電放電電壓在3000-5000V之間，然而，元件發(fā)生損壞時的電壓僅幾百伏。靜電放電的危害效應是在二十世紀七十年代開始認識到的，這是由于新技術(shù)的發(fā)展導致元件對靜電放電的損壞越來越敏感。靜電放電造成的損失每年可達到幾百萬美元以上。因此，許多大型的元件和設備制造廠引進專業(yè)技術(shù)減小生產(chǎn)環(huán)境中的靜電積累，從而使產(chǎn)品合格率和可靠性提高了許多。用戶根據(jù)自己的經(jīng)驗也懂得了防治靜電放電損害的重要性。
2、如何對付靜電放電？
控制靜電積累的第一步是要弄清楚靜電荷的產(chǎn)生機理。靜電電壓是由不同種類的物質(zhì)相互接觸與分離而產(chǎn)生。盡管摩擦能夠使電荷積累得更多，但是摩擦并不是必要的。這種效應是大家熟知的摩擦起電，所產(chǎn)生的電壓取決于相互摩擦的材料本身的特性。摩擦起電序列表列出了各類物質(zhì)的帶電難易程度。
信息來源：二三極管
